近日，鄭州大學科研人員提出了一種全新的近紅外發(fā)光二極管發(fā)光機理和器件設計理念，并在國際上首次制備出GaN/Si納米異質結構近紅外發(fā)光二極管，為近紅外發(fā)光二極管的設計和制造提供了新的可能。

　　紅外技術在國防工業(yè)、地質探測、光纖通信等領域扮演著重要角色。近紅外發(fā)光二極管由于體積小、功耗低、穩(wěn)定性高、壽命長等優(yōu)點，成為新一代近紅外光源的主導技術。

　　該項研究成果由鄭州大學物理工程學院材料物理教育部重點實驗室李新建研究組完成。該研究組長期從事硅基納米半導體體系構建技術、性能研究和原型器件研制，在國內(nèi)外相關領域產(chǎn)生了一定影響。

　　相關成果已發(fā)表在國際期刊《先進材料》上。審稿專家認為，“此項研究為硅基氮化鎵近紅外發(fā)光二極管的設計和制造提供了一種嶄新的途徑”。