國慶假期這幾天,中科院院士、浙江大學硅材料國家重點實驗室教授楊德仁和同事并沒有休息,而是忙于編制一個國家重點研發計劃項目的實施方案。“這個項目叫做硅基發光基礎理論及器件關鍵技術,10月中旬前后將正式啟動。我們探尋用光來代替電子,在硅芯片上傳輸信息。”楊德仁告訴記者,如果在這一前沿領域有所突破,新的硅基光電子芯片有望成為現實。
與此同時,在金瑞泓微電子(衢州)有限公司的車間里,12英寸硅晶圓的生產線正在緊張安裝調試。12英寸硅晶圓是當前制備芯片的基礎,其全球生產長期壟斷在少數幾家外國企業手中。楊德仁帶領團隊和企業開展產學研合作,自主開發了制備微量摻氮、微量摻鍺、重摻磷等12英寸硅晶圓技術,目前即將實現產業化。他說:“能夠自己生產12英寸硅晶圓,我們在芯片產業國際競賽中才有底氣。”
硅材料,半個多世紀以來始終是微電子科技和產業飛速發展的基石,楊德仁在這一領域耕耘了30多年,研究成果兩次獲得國家自然科學獎。“硅儲量豐富、環境友好、制備成本低……在可預見的未來,硅仍將是微電子發展不可或缺的基礎。在硅材料上率先取得新的突破,將推動我們在微電子領域的一些關鍵方面趕超世界先進水平。”楊德仁說。
在楊德仁看來,我國硅材料基礎研究已經能與國際先進水平平等對話,但走出實驗室,硅材料創新成果的產業化程度相比發達國家還存在明顯差距。“必須堅持走自主創新之路,形成自己的核心競爭優勢。”他說,中國在硅材料的另一個重要應用領域——太陽能光伏上已經取得了世界級的成功,相信通過進一步科學布局、集聚資源、激活人才……我們在硅基微電子技術上也會不斷有新作為。