KRI 射頻離子源 RFICP 系列

單價：	面議
起訂：
供貨總量：
發貨期限：	自買家付款之日起 3 天內發貨
所在地：	上海
有效期至：	長期有效
最后更新：	2022-12-07 14:48
瀏覽次數：	178

公司基本資料信息

伯東企業（上海）有限公司
已繳納 0.00 元保證金
聯系人羅紹飛(先生)
會員 [當前離線] [加為商友] [發送信件]
郵件
電話
地區上海
地址上海市浦東新區新金橋路1888號36號樓7樓702室 201206

詳細說明

KRI 射頻離子源 RFICP 系列
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

射頻離子源 RFICP 系列應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子濺射鍍膜

上海伯東離子源典型應用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現離子輔助鍍膜 IBAD 及預清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產
右圖: 在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試, 樣品無崩邊

上海伯東離子源典型應用: 安裝在離子蝕刻機中的 KRI 射頻離子源, 對應用于半導體后端的6寸晶圓進行刻蝕. 右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw